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SiC晶體粉源(可用于PVT長晶)

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詳細信息SiC晶體粉源(可用于PVT長晶)

SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的選半導體材料。然而生長優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難,其中SiC粉源的顆粒度、純度、類型等各方面都極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學性質(zhì)等等。

合能陽光提供的SiC高品質(zhì)粉末,可充分滿足不同需求的客戶,為客戶SiC長晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。

化學性質(zhì) 

Mass fraction in % [cg/g];ppm(ug/g)  SSA05 SSA10   SSA15     SSA25

 

物理性質(zhì)

 

 

典型客戶:

美國,歐洲,亞洲及國內(nèi)SiC襯底企業(yè)。



SiC晶體粉源(可用于PVT長晶)

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