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半導體晶片內部缺陷

   
半導體晶片內部缺陷
 
發(fā)布時間:2025-04-29 09:35
地  區(qū):北京>北京市>通州區(qū)
公  司:北京合能陽光新能源技術有限公司
聯(lián) 系 人:肖蘭
[企業(yè)詳情]
聯(lián)系信息
 
 
電  話: 86-010-60546837
移動電話: 17731623573
傳  真: 86-010-57562059
地  址: 北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)光華路16號綜合樓
郵  編: 101113
Email:xiao2009lan@163.com
公司網(wǎng)站:
詳細說明
 半導體晶片內部缺陷        
   
規(guī)  格:HS-Phys-IRis 型  號:HS-Phys-IRis 數(shù)  量:1
品  牌:合能陽光 包  裝:運輸標準 價  格:面議


HS-phys-SimPLe半導體晶片內部缺陷檢測系統(tǒng)是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍寶石等半導體晶片及晶環(huán)生產過程中以極高的分辨率探測晶片和晶環(huán)的內部滑移線、內部隱裂等內部缺陷檢測的儀器

檢測原理是:HS-Phys-SimPLe系統(tǒng)是一種高分辨率光致發(fā)光(PL掃描映射系統(tǒng),用于表征直徑高達400mm的半導體晶片。使用專門設計的高強度激光源來激發(fā)半導體材料中的少子載流子。

 

三種類型復合載體:SRHShockley-Read-Hall)深能級復合,Auger俄歇復合和Radiative輻射復合。在較低注入水平下,Auger俄歇復合可以忽略不計,因此“清潔”區(qū)域由輻射控制,而污染區(qū)域主要由SRH深能級復合控制。由于結晶滑移缺陷就像溶解污染的吸雜點,具有較低的輻射發(fā)射。因此可以通過PL技術將其可視化。

 

產品特點

■ 直徑達400mm、厚度達30mm的晶片檢查

■ 60μm分辨率下的滑移線檢測

■ 更多波長可供選擇

■ 檢測速度12英寸-13分鐘,8英寸-5分鐘

■ 利用優(yōu)化的波長和過濾進行PL滑移線檢查,可以發(fā)現(xiàn)制程中尚未發(fā)現(xiàn)的問題

■ 顯示更小的滑移線等內部缺陷。

■ 自動晶圓探測器

■ 自動參數(shù)設置

■ 即使在低信號采樣上也具有高分辨率和高對比度 

   
半導體晶片內部缺陷
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