KRi 中和器 Neutralizer Sources
上海伯東美國(guó) KRi 提供幾種類型的低能量高電流電子源. 電子源技術(shù)包含浸入式熱離子燈絲和非浸入式空心陰極發(fā)射器. 型號(hào)包含燈絲, LFN2000, LHC1000, MHC1000, SHC1000.

通常, 這些電子源可以作為陰極和/或中和器與等離子體或離子源結(jié)合使用. 它們?cè)诙栊院头磻?yīng)性氣體環(huán)境中的操作是標(biāo)準(zhǔn)的. 電子源的發(fā)射電流是用電流反饋回路測(cè)量和控制. 由于這種精確可靠的電子源, KRi 電子源成功地用于靜電敏感應(yīng)用和介電材料環(huán)境.

KRi 電子源安裝在材料處理環(huán)境中, 作為中和器集成到離子束源上, 或者可以集成到等離子體放電的電離過程中. 在其他更專業(yè)的應(yīng)用中, 可以與磁控管陰極一起安裝以調(diào)整濺射操作.

KRi 中和器 Neutralizer Sources 功能
離子束中和: 射頻離子源, 考夫曼離子源, 霍爾離子源和陽(yáng)極層源
等離子體產(chǎn)生中的電離: 射頻離子源, 考夫曼離子源, 霍爾離子源
在正偏置分析儀器中, 電中和
磁控濺射中增強(qiáng)的電子通量
 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.