KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術(shù)參數(shù)
型號 | KDC 40 |
陽極 | DC 直流 |
陽極功率 | 100W |
大離子束流 | >100mA |
電壓 | 100-1200V |
氣體 | 惰性和反應(yīng)氣體 |
進(jìn)氣流量 | 2-10sccm |
壓力 | <0.5m Torr |
離子光學(xué)(自對準(zhǔn)) | OptiBeamTM |
離子束直徑 | 4cm Φ max |
柵極 | 鉬和石墨 |
離子束形狀 | 聚焦, 平行, 散射 |
高度 | 16cm |
直徑 | 9cm |
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐
