單晶硅激光精密切割 定制加工
單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱單晶硅主要用于制作半導體元件。
用途： 是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
硅片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性
激光加工的特點：
1. 激光切割的切縫窄，工件變形小
2. 激光切割是一種高能量、密度可控性好的無接觸加工
3. 激光切割具有廣泛的適應性和靈活性
公司激光加工設備針對各種材質：金屬及合金、半導體、陶瓷、各種透明材質、薄膜和聚合物等各種材料。且已成功完成1000多個基于以上材料的各種激光微加工試驗和方案。
公司所涉及的激光業(yè)務范疇包括前期的方案可行性研究和新制程開發(fā)服務、中期小規(guī)模試產和論證、后期的規(guī)�；慨a業(yè)務外包等。立志于成為國內激光精密微加工和微制造的領跑者，為客戶提供定制化、低成本和完善的高端激光加工解決方案。
梁經理
