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薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板、顯示面板及光電裝置 |
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| 本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板、顯示面板及光電裝置。所述的薄膜晶體管，其配置于一基板上。此薄膜晶體管包括一柵極、一介電層、一半導(dǎo)體層、一源極以及一漏極。此外，介電層具有至少一第一介電區(qū)塊以及至少一第二介電區(qū)塊。柵極形成于基板上，介電層形成于基板上且覆蓋柵極，半導(dǎo)體層則形成于部分介電層上。源極及漏極分別形成于半導(dǎo)體層的部份區(qū)域上，以使得位于第一介電區(qū)塊上方的半導(dǎo)體層未被源極與漏極覆蓋，而位于第二介電區(qū)塊上方的半導(dǎo)體層被源極與漏極覆蓋。因此，此薄膜晶體管具有良好的電性。 |
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薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板、顯示面板及光電裝置
一種薄膜晶體管，配置于一基板上，其特征在于，該薄膜晶體管包括： 一柵極，形成于所述的基板上； 一介電層，形成于基板上且覆蓋所述的柵極，且該介電層具有至少一第一介電區(qū)塊以及至少一第二介電區(qū)塊； 一半導(dǎo)體層，形成于部份所述的介電層上；以及 一源極／漏極，分別形成于所述的半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，以使得位于所述的第一介電區(qū)塊上方的半導(dǎo)體層未被所述的源極與漏極覆蓋，而位于所述的第二介電區(qū)塊上方的半導(dǎo)體層被所述的源極與漏極覆蓋。
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| 專利號(hào): |
200810125691 |
| 申請(qǐng)日: |
2008年6月20日 |
| 公開/公告日: |
2008年11月5日 |
| 授權(quán)公告日: |
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| 申請(qǐng)人/專利權(quán)人: |
友達(dá)光電股份有限公司 |
| 國(guó)家/省市: |
臺(tái)灣(71) |
| 郵編: |
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| 發(fā)明/設(shè)計(jì)人: |
李豪捷、朱慶云 |
| 代理人: |
任默聞 |
| 專利代理機(jī)構(gòu): |
北京三友專利代理有限責(zé)任公司(11127) |
| 專利代理機(jī)構(gòu)地址: |
北京市北三環(huán)中路40號(hào)(100088) |
| 專利類型: |
發(fā)明 |
| 公開號(hào): |
101299441 |
| 公告日: |
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| 授權(quán)日: |
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| 公告號(hào): |
000000000 |
| 優(yōu)先權(quán): |
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| 審批歷史: |
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| 附圖數(shù): |
20 |
| 頁(yè)數(shù): |
17 |
| 權(quán)利要求項(xiàng)數(shù): |
3 |
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