MOSFET&JFET擊穿電壓測(cè)試源表特點(diǎn)：
多功能：可作源和負(fù)載，又能測(cè)；
高效率：滿足多種測(cè)試需求；
可編程控制：高精度可調(diào)，靈活控制；
IV掃描：快速、直觀顯示，一步操作。
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等
擊穿電壓測(cè)試源表詳情請(qǐng)聯(lián)系普賽斯儀表銷售專員為您解答一八一四零六六三四七六
MOSFET&JFET擊穿電壓測(cè)試源表功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷�、正向電流、反向擊穿電壓、反向漏電�?o:p /> |
2 | 三極管 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測(cè)試，輸出曲線、轉(zhuǎn)移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測(cè)試，充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測(cè)試，放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
MOSFET&JFET擊穿電壓測(cè)試源表特點(diǎn)：
1、5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作
2、內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV
3、源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5數(shù)位
4、四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V
5、豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
6、支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
7、支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
