| 規(guī) 格：立式 |
型 號(hào)：ZY-1500R |
數(shù) 量：10 |
| 品 牌：西安智盈電氣 |
包 裝：木箱 |
價(jià) 格：面議 |
系統(tǒng)概述：
設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。
基礎(chǔ)配置：
技術(shù)參數(shù)
ENJ2005-A型
ENJ2005-B型
主極電壓
10mV-2000V
10mV-2000V
主極電流
100nA-50A
100nA-50A
擴(kuò)展電流
100A、200A、400A、500A
250A、500A、750A、1000A、1250A
電壓分辨率
1mV
1mV
電流分辨率
100nA
10nA(可擴(kuò)展至10pA)
測(cè)試精度
0.5% 2LSB
0.2% 2LSB
測(cè)試速度
0.5mS/參數(shù)Parameter
0.5mS/參數(shù)Parameter
測(cè)試范圍：
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測(cè)試器件
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二極管 / DIODE
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絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT
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晶體管 / NPN型/PNP型
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MOS場(chǎng)效應(yīng)管 / MOS-FET
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J型場(chǎng)效應(yīng)管 / J-FET
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可控硅 / SCR
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雙向可控硅 / TRIAC
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達(dá)林頓列陣 / DRALINTON
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光電耦合 / OPTO-COUPLER
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穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER
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三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR
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雙向觸發(fā)二極管 / DIAC
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硅觸發(fā)可控硅 / STS
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光電開(kāi)關(guān) / OPTO-SWITCH
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光電邏輯 / OPTO-LOGIC
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金屬氧化物壓變電阻 / MOV
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固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器 / SSOVP
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壓變電阻 / VARISTOR
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繼電器 / RELAY
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