原子層沉積是基于表面控制的薄膜沉積技術(shù)。在鍍膜過程中，兩種或更多的化學(xué)氣相前驅(qū)體依次在基底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而產(chǎn)生固態(tài)的薄膜。在反應(yīng)腔內(nèi)有惰性載氣穿過；前驅(qū)體通過極短的脈沖注入到這個惰性載氣中。 惰性載氣攜帶著前驅(qū)體脈沖作為一種有序“波”依次通過反應(yīng)腔，真空泵管路，過濾系統(tǒng)，并終通過真空泵。

ALD前驅(qū)

可用原子層沉積的常用的材料包括（選擇）：

氧化物: Al2O3, CaO, CuO, Er2O3, Ga2O3, HfO2, La2O3, MgO, Nb2O5, Sc2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2, VXOY, Y2O3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, etc.

氮化物: AlN, GaN, TaNX, TiAlN, TiNX, etc.

碳化物: TaC, TiC, etc.

金屬: Ir, Pd, Pt, Ru, etc.

硫化物: ZnS, SrS, etc.

氟化物: CaF2, LaF3, MgF2, SrF2, etc.

生物材料: Ca10(PO4)6(OH)2 (hydroxyapatite)

聚合物: PMDA–DAH, PMDA–ODA, etc.

摻雜納米涂層和復(fù)合結(jié)構(gòu)：ALD 可以使用大量不同的材料組合。